半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供用于通过在大玻璃衬底之上形成由薄膜形成的集成电路并且通过从衬底剥离该集成电路来大量和有效地制造能够在接触优选在不接触的情况下接收或发送数据的微小器件的方法。特别地，由薄膜形成的集成电路非常薄，并且因此存在在运输时集成电路飞逝的威胁，因此其操纵是困难的。根据本发明，分离层(也称作剥离层)通过至少两种不同种类的方法被多次损伤(由于激光照射的损伤、由于蚀刻的损伤、或由于物理措施的损伤)，随后，可以有效地从衬底剥离将被剥离的层。此外，通过使被剥离的器件弯曲成拱形使单独的器件的操纵变得容易。

主权项

1.一种用来制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在第一衬底上形成分离层；在所述分离层之上形成包括半导体元件的将被剥离的层；通过发射光到所述分离层的一部分在所述分离层的一部分内或在分离层的界面处形成裂隙或孔；通过从所述裂隙或所述孔引入与所述分离层起反应的气体或液体除去所述分离层来从所述第一衬底分离该将被剥离的层，以将该将被剥离的层弯曲成拱形；以及把该被弯曲成拱形的将被剥离的层转移到第二衬底。