发明名称 量子点生长控制方法及控制设备
摘要 本发明实施例提供一种量子点生长控制方法及控制设备。属于量子点材料制备领域。该控制方法包括:将用于生长量子点的衬底设置在溶解有量子点材料的溶液中,在所述衬底上方的同一水平面内设置至少两列相交的超声波形成超声波驻波,使超声波驻波形成的节点柱指向所述衬底;使溶液中的量子点材料经超声波驻波形成的节点柱向衬底上沉降生长量子点;调整超声波在溶液中的频率或波长来调节量子点在所述衬底上的生长位置。该控制方法具有操作简单、实现了量子点的定位可控生长,具有定位准确、设备廉价等特点,可以制备出在指定位置生长有量子点的材料,通过控制超声波的波长与频率,可控制衬底上生长的量子点的位置。
申请公布号 CN101565164A 申请公布日期 2009.10.28
申请号 CN200910085953.1 申请日期 2009.05.31
申请人 北京石油化工学院 发明人 武光明;邢光建;王怡;赵昶;李东临;王芳平
分类号 B82B3/00(2006.01)I 主分类号 B82B3/00(2006.01)I
代理机构 北京凯特来知识产权代理有限公司 代理人 郑立明
主权项 1、一种量子点生长控制方法,其特征在于,包括:将用于生长量子点的衬底设置在溶解有量子点材料的溶液中,在所述衬底上方的同一水平面内设置至少两列相交的超声波形成超声波驻波,使超声波驻波形成的节点柱指向所述衬底;使溶液中的量子点材料经超声波驻波形成的节点柱向衬底上沉降生长量子点;调整超声波在溶液中的频率或波长来调节量子点在所述衬底上的生长位置。
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