发明名称 操作非易失性存储系统的存储系统电路及方法
摘要 由卡控制器将一非易失性存储器划分成若干个逻辑区,以便减小其用于地址变换的数据结构的大小。调整区界,以包容存储器测试所允许的缺陷从而提高卡的成品率并调整所述区域中的边界以延长所述卡的使用寿命。固件扫描在所述卡上是否存在缺陷块。一旦得知这些块的位置,所述固件便以一使好块均匀分布于各区中的方式来计算所述区界。由于存储器测试标准使好块的数量满足卡测试标准,因此缺陷将会减小卡成品率的下降。所述控制器可实施动态边界调整。在出现缺陷时,所述控制器可再次实施分析,并且,如果需要,重新分布区界,从而移动任何用户数据。
申请公布号 CN100555465C 申请公布日期 2009.10.28
申请号 CN200380109302.2 申请日期 2003.12.02
申请人 桑迪士克股份有限公司 发明人 凯文·M·康利
分类号 G11C29/00(2006.01)I;G11C16/28(2006.01)I;G11C8/12(2006.01)I 主分类号 G11C29/00(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人 刘国伟
主权项 1、一种存储系统电路,其包括:一存储电路,其由一个或多个物理阵列组成,所述阵列的每一者均包括复数个非易失性存储元件块,其中所述块中单独块内的所述存储元件可同时擦除,及一控制器电路,其同时控制将数据编程入所寻址的块内、自所寻址的块读取数据及自一个或多个所寻址的块擦除数据,其中通过引入所述物理阵列的逻辑边界,所述控制器将所述物理阵列的每一者细分成若干区,每一区均由一个或多个用于地址变换的块构成,且其中块与区的对应可由控制器动态调整。
地址 美国加利福尼亚州