发明名称 Magnetic RAM comprising unit cell having one transistor and two Magnetic Tunneling Junctions and method for manufacturing the same
摘要
申请公布号 KR100923298(B1) 申请公布日期 2009.10.23
申请号 KR20030003476 申请日期 2003.01.18
申请人 发明人
分类号 G11C11/15;H01L27/105;H01L21/8246;H01L43/08 主分类号 G11C11/15
代理机构 代理人
主权项
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