| 发明名称 | 在半导体装置中形成应变通道的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在半导体装置中形成应变通道的方法，包括下列步骤：提供一晶体管，该晶体管包括：一栅极堆叠物，具有设置在一半导体基底上的一栅极；一对源极/漏极区，设置在邻近该栅极堆叠物的对应侧的该半导体基底内；以及一间隔物，对应地设置在该栅极堆叠物的一侧壁上。接着形成一保护层，覆盖该栅极与所述间隔物。接着在所述源极/漏极区内分别形成一凹陷区，其中该凹陷区的一边对准于该间隔物的一外侧边。接着在所述凹陷区内填入一应变诱发材料，以在介于所述源极/漏极区之间的该半导体基底内形成一应变通道区。 | ||
| 申请公布号 | CN100552905C | 申请公布日期 | 2009.10.21 |
| 申请号 | CN200710167196.3 | 申请日期 | 2007.11.02 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 廖先钏;潘国华;陈永修;章勋明;林宜经 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 晨 |
| 主权项 | 1.一种在半导体装置内形成应变通道的方法，包括下列步骤：提供一晶体管，该晶体管包括：一栅极堆叠物，具有设置在一半导体基底上的一栅极；一对源极/漏极区，设置在邻近该栅极堆叠物的对应侧的该半导体基底内；以及一间隔物，对应地设置在该栅极堆叠物的一侧壁上；形成一保护层，覆盖该栅极与该间隔物；在所述源极/漏极区内分别形成一凹陷区，其中该凹陷区的一边对准于该间隔物的一外侧边；以及在所述凹陷区内填入一应变诱发材料，以在介于所述源极/漏极区之间的该半导体基底内形成一应变通道区，其中该应变诱发材料掺杂有相同于该源极/漏极区的导电特性与相同浓度的一掺质。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||