MOS晶体管及其制造方法

摘要

一种MOS晶体管及其制造方法，该方法可以包括：在限定为有源区和场区的半导体衬底的有源区上和/或上方形成栅极图样；以及在栅极图样的每一侧以及栅极图样的最上表面的部分上方形成硅化物阻挡膜，该硅化物阻挡膜包括间隔形成并相互平行延伸的第一和第二硅化物阻挡膜部分，以及连接至第一和第二硅化物阻挡膜部分并间隔形成的第三和第四硅化物阻挡膜部分，该第三和第四硅化物阻挡膜部分相互平行延伸并垂直于第一和第二硅化物阻挡膜部分。用这样的结构设计，可以形成具有降低的节距尺寸的高电压晶体管和中电压晶体管，从而降低整体芯片尺寸。

主权项

1. 一种方法，包括：提供具有有源区和场区的半导体衬底；然后在所述半导体衬底的所述有源区上方形成栅极图样；然后在所述栅极图样的每一侧以及所述栅极图样的最上表面的部分上方形成硅化物阻挡膜，其中，所述硅化物阻挡膜包括间隔形成并相互平行延伸的第一和第二硅化物阻挡膜部分，以及连接至所述第一和第二硅化物阻挡膜部分并间隔形成的第三和第四硅化物阻挡膜部分，所述第三和第四硅化物阻挡膜部分相互平行延伸并垂直于所述第一和第二硅化物阻挡膜部分。