发明名称 双面透光的全有机场效应光敏晶体管及其制备方法
摘要 双面透光的全有机场效应光敏晶体管及其制备方法,即在透明衬底上蒸镀导电电极作为栅极,然后将有机介电绝缘材料制备到透明导电栅极上,再将导电源极蒸镀到有机介电绝缘层上,再蒸镀有机功能层,最后蒸镀透明导电漏极完成全有机场效应光敏晶体管器件的制备。该有机场效应光敏晶体管中的介电绝缘层和功能层都是用有机材料,且该光敏晶体管使用垂直结构,所以制作简单,无需光刻等复杂工艺。沟道长度可以作得很薄而可大大提高场效应光敏晶体管器件的“开/关”电流比。该光敏晶体管上下两面都可以吸收光照,利于提高器件性能。
申请公布号 CN100511752C 申请公布日期 2009.07.08
申请号 CN200710118279.3 申请日期 2007.07.04
申请人 北京交通大学 发明人 杨盛谊;娄志东;邓振波;侯延冰
分类号 H01L51/42(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I 主分类号 H01L51/42(2006.01)I
代理机构 北京市商泰律师事务所 代理人 齐 玲;毛燕生
主权项 1. 一种双面透光的全有机场效应光敏晶体管的制备方法,其特征在于,有如下步骤:(a)先清洗透明有机柔性衬底,然后将透明导电电极(2)蒸镀到透明有机柔性衬底(1)上作为场效应光敏晶体管的栅极或源极;(b)将透明有机介电绝缘层材料(3)制备到清洗好的透明导电电极(2)上;(c)将导电电极材料(4)蒸镀到透明有机介电绝缘层(3)上,形成一定厚度的导电层作为源极或栅极;(d)在源极或栅极上蒸镀有机功能薄膜层(5);(e)将透明导电电极材料(6)蒸镀到有机功能薄膜层(5)上作为漏极,从而完成整个场效应光敏晶体管器件的制备。
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