一种闭合的超导环状多层膜及其制备方法和用途

摘要

本发明涉及一种闭合的超导环状多层膜，其特征在于：所述的超导多层膜的横截面呈闭合的椭圆环或矩形环；椭圆内环的短轴为10～100000nm，短轴与长轴的比值为1∶1～5，椭圆外环的短轴为20～200000nm；矩形内环的宽度为10～100000nm，矩形外环的宽度为20～200000nm，矩形内环的宽度与长度的比值为1∶1～5。按照势垒层数的不同分类，该闭合的超导环状多层膜包括单势垒型和双势垒型，其可以通过微加工方法来制备。本发明的闭合超导环状多层膜在保持超导多层膜原有特征和性能的情况下，还具有较小的结电容和功耗等优点，能够满足大规模产品化的要求，能够广泛应用于以超导环状多层膜为核心的各种器件。

主权项

1、一种单势垒型闭合超导环状多层膜，由一衬底，及在所述的衬底上沉积一下部缓冲层，在所述的下部缓冲层上依次沉积的第一超导层、中间势垒层和第二超导层及覆盖层组成；其特征在于：所述的超导多层膜的横截面呈闭合的椭圆环或者矩形环，其中椭圆环的内椭圆的短轴为10～100000nm，短轴与长轴的比值为1∶1～5，椭圆环的外椭圆的短轴为20～200000nm；矩形环的内矩形的宽度为10～100000nm，矩形环的外矩形的宽度为20～200000nm，矩形环的内矩形的宽度与长度的比值为1∶1～5；在所述的超导多层膜的横截面呈闭合的椭圆环或者矩形环以外的部分覆盖SiO2绝缘层，并在所述的超导多层膜的横截面呈闭合的椭圆环或者矩形环上设置导电层。