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Elemento semiconductor de potencia (10), con un cuerpo semiconductor que tiene, como mínimo, una transición pn y, como mínimo, una capa de pasivado primaria (20, 24) dispuestas sobre una superficie parcial de una superficie principal, en el que, como mínimo, una de dichas capas de pasivado primarias (20, 24) está recubierta por medio de una poliimida aplicable por serigrafía (30, 34) como capa de pasivado secundaria y en el que la poliimida (30) se solapa, como mínimo, con una zona de borde de una capa de pasivado primaria (20) lateralmente (32). |
