电极形成方法

摘要

本发明提供一种透光性高、电阻低的透光性电极的制造方法。半导体发光元件(100)是在蓝宝石衬底上依次层叠了缓冲层(102)、非掺杂GaN层(103)、高载流子浓度n⁺层(104)、n型层(105)、发光层(106)、p型层(107)、p型接触层(108)而形成的，具有在至少存在氧的气氛下利用电子束蒸镀法或者离子电镀法形成、且之后进行烧制而形成的由ITO构成的透光性电极(110)。

主权项

1. 一种电极形成方法，是层叠III族氮化物类化合物半导体而形成的半导体元件的电极的形成方法，该方法的特征在于，由以下步骤构成：在至少导入了氧气的、氧气压力为0.06Pa～0.1Pa的低压真空室内，通过电子束蒸镀或离子电镀法来蒸镀氧化铟锡，所述电极由所述氧化铟锡构成。