发明名称 天线装置及其制造方法
摘要 一种天线装置,其包含:一基板;一辐射部分,其包含一被设置于该基板的一主要表面上(one principal face)的介电块,与一在该介电块的一表面上被形成为立体(stereoscopic)形状的第一导体层;与一接地(earthing)导体,其包含一设置在该基板之其他主要表面上的第二导体层。
申请公布号 TWI255073 申请公布日期 2006.05.11
申请号 TW093120850 申请日期 2004.07.13
申请人 特殊陶业股份有限公司 发明人 大鹰直树;青山惠哉;杉本典康
分类号 H01Q9/40;H01Q1/38 主分类号 H01Q9/40
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;何秋远 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 1.一种天线装置,其包含:一基板;一辐射部分,其包 含一被设置于该基板的一主要表面上(one principal face)的介电块,与一在该介电块的一表面上被形成 为立体(stereoscopic)形状的第一导体层;以及 一接地(earthing)导体,其包含一在设置在该基板之 其他主要表面上的第二导体层。 2.如申请专利范围第1项之天线装置,其中更包含一 从设置在该第一导体层之一端的馈送部分延伸至 基板之主要表面之上的馈送线。 3.如申请专利范围第1项之天线装置,其中该接地导 体系设置在该基板之该其他主要表面上的部分区 域之上,且该辐射部分系设置在避开形成有该接地 导体之区域的该一主要表面上的一区域上。 4.如申请专利范围第3项之天线装置,其中该第一导 体层系设置在该介电块除了与该基板接触之一接 触面的表面之三个面上。 5.如申请专利范围第4项之天线装置,其中该第一导 体层系被连续的形成在一在介电块内之与基板接 触的接触面的一部分上。 6.如申请专利范围第3项之天线装置,其中该第1导 体层系被设置在与该基板接触的该介电块之表面 的一接触面与临近该接触面的该等面上。 7.如申请专利范围第3项之天线装置,其中该第一导 体层系设置为一辐射形状,其从设置在该第一导体 层之一端之一馈送部分朝向该第一导体层之其他 端。 8.如申请专利范围第3项之天线装置,其中该第一导 体层系设置为一辐射形状,其从设置在该第一导体 层之一边缘端之一馈送部分远离形成有该接地导 体之区域。 9.如申请专利范围第3项之天线装置,其中该介电块 系包含氧化铝、钛酸盐钙(calcium titanate),钛酸盐镁 (magnesium titanate)与钛酸盐钡(barium titanate)之至少一 种。 10.如申请专利范围第3项之天线装置,其中该介电 块具有15或更少的特定的介电常数。 11.如申请专利范围第3项之天线装置,其中,该第一 导体层被形成为一放射形状,其具有一80度(或大于 )及180(或小于)的中央角度(其相对于一直线,该直 线接合该设置在该第一导体层之一端与该第一导 体层之其他端的馈送部分)。 12.如申请专利范围第2项之天线装置,其中该接地 导体更被设置为沿着在该基板之一主要面上的该 馈送线,且该馈送线建构一共面线(coplanar line)。 13.一种天线装置,其包含:一天线元件,包含:一基板 ;一辐射部分,其包含一被形成于该基板的一主要 表面上(one principal face)的介电块,与一在该介电块 的一表面上被设置为立体(stereoscopic)形状的第一 导体层;一接地(earthing)导体,其包含一设置在该基 板之其他主要表面上的第二导体层;以及 一从设置在该第一导体层之一端的馈送部分延伸 至基板之主要表面之上的馈送线,其中,该接地导 体系被形成在该基板之其他主要表面之部分区域 中,且该辐射部分系被设置在靠近该基板之周边边 缘部分与在对应到避开形成有该接地导体的部分 区域之一主要表面上。 14.如申请专利范围第13项之天线装置,其中该辐射 部分系以一延着跨越(across)该基板之与该辐射部 份相对的该接地导体之一侧部之方向,而系被设置 在靠近该基板之任一侧上。 15.如申请专利范围第13项之天线装置,其中该第一 导体层系设置在该介电块除了与该基板接触之一 接触面的表面之三个面上。 16.如申请专利范围第15项之天线装置,其中该第一 导体层可被连续的形成在一在介电块内之与基板 接触的接触面的一部分上。 17.如申请专利范围第13项之天线装置,其中该第1导 体层系被形成在与该基板接触的该介电块之表面 的一接触面与临近该接触面的该等面上。 18.如申请专利范围第13项之天线装置,其中该第一 导体层系设置为一辐射形状,其从设置在该第一导 体层之一端之一馈送部分朝向该第一导体层之其 他端。 19.如申请专利范围第13项之天线装置,其中该第一 导体层系设置为一辐射形状,其从设置在该第一导 体层之一边缘端之一馈送部分远离形成有该接地 导体之区域。 20.如申请专利范围第13项之天线装置,其中该介电 块系包含氧化铝、钛酸盐钙(calcium titanate),钛酸盐 镁(magnesium titanate)与钛酸盐钡(barium titanate)之至少 一种。 21.如申请专利范围第13项之天线装置,其中该介电 块具有15或更少的特定的介电常数。 22.如申请专利范围第13项之天线装置,其中,该第一 导体层被形成为一放射形状,其具有一80度(或大于 )及180(或小于)的中央角度(其相对于一直线,该直 线接合该设置在该第一导体层之一端与该第一导 体层之其他端的馈送部分)。 23.如申请专利范围第13项之天线装置,其中该接地 导体更被沿着在该基板之一主要面上的该馈送线 设置,且该馈送线建构一共面线(coplanar line)。 24.一种用于制造一天线装置的方法,其包括:一将 该介电构件形成为一预定形状的步骤;一形成该馈 送电极以扮演一在该介电构件之预定部分之一天 线馈送部分的步骤;一在该介电构件之表面上形成 一导体,使得该导体可全部的被形成为一立体形状 (从该介电构件反向之馈送电极之位置)之步骤;以 及 一在形成有接地导体之基板之其他主要表面上设 置该形成有导体的介电构件的步骤。 图式简单说明: 第1图为一立体图,显示该根据本发明之第一实施 例在从一辐射部分120的方向中的天线装置100; 第2图为一立体图,显示根据从该辐射部分120反向 的方向中的实施例之天线装置100; 第3图为一放大图,显示该根据实施例之天线装置 100之辐射部分120的形状; 第4图为根据该实施例之天线装置100中的辐射部分 120之发展; 第5图为一图式,显示根据实施例之天线装置100中 的辐射部分120于从接合面到基板110的方向; 第6图为一流程图,显示在实施例中的天线装置100 之制造方法之辐射部分120之制造程序; 第7图为一图式,显示一根据实施例之范例中的频 率特性; 第8图为一图表,显示根据实施例之基础部分129之 实施例常数与一可用频宽之间的关系; 第9图为一图表,显示在实施例之范例中的天线电 极160之形状与天线特性之间的关系; 第10图为一发展图(development),显示根据本发明之第 二实施例之辐射部分220; 第11图为一发展图(development),显示根据本发明之第 三实施例之辐射部分320; 第12图为一发展图(development),显示根据本发明之第 四实施例之辐射部分420; 第13图为一发展图(development),显示根据本发明之第 五实施例之辐射部分520; 第14图为一立体图,显示该根据本发明之第六实施 例在从一辐射部分620的方向中的天线装置600: 第15图为一立体图,显示根据从该辐射部分620反向 的实施例之天线装置600; 第16图为一立体图,显示该根据实施例之天线装置 600之辐射部分620的架构; 第17图为一图表,显示此实施例中的VSWR特性; 第18图为本实施例之史密斯图表(Smith chart); 第19图为一图表,表列适合用于此实施例之频带; 第20图为一图表,显示此实施例中的VSWR特性; 第21图为本实施例之史密斯图表(Smith chart); 第22图为一图表,表列适合用于此实施例之频带; 第23图为一图表,显示此实施例中的VSWR特性; 第24图为本实施例之史密斯图表(Smith chart); 第25图为一图表,表列适合用于此实施例之频带; 第26图为一图表,显示此实施例中的VSWR特性; 第27图为本实施例之史密斯图表(Smith chart); 第28图为一图表,表列适合用于此实施例之频带; 第29图显示本发明之第七实施例中的一辐射部分 720; 第30图显示本发明之第八实施例中的一辐射部分 820; 第31图为一图表,显示此实施例中的VSWR特性; 第32图为本实施例之史密斯图表(Smith chart); 第33图为一图表,表列适合用于此实施例之频带; 第34图显示本发明之第九实施例中的一辐射部分 920; 第35图显示本发明之第十实施例中的一辐射部分 1020; 第36图为一图表,显示此实施例中的VSWR特性; 第37图为本实施例之史密斯图表(Smith chart); 第38图为一图表,表列适合用于此实施例之频带; 第39图显示本发明之第11实施例中的一辐射部分 1120; 第40图为一图表,显示此实施例中的VSWR特性; 第41图为本实施例之史密斯图表(Smith chart); 第42图为一图表,表列适合用于此实施例之频带; 第43图为一图表,显示本发明之第一实施例之一修 改型之VSWR特性; 第44图为一史密斯图表(Smith chart),显示本发明之第 一实施例之修改型; 第45图为一图表,表列适合用于本发明之第一实施 例之修改型之频带; 第46图为一图表,显示本发明之第六实施例之一修 改型之VSWR特性; 第47图为一史密斯图表(Smith chart),显示本发明之第 六实施例之修改型; 第48图为一图表,表列适合用于本发明之第六实施 例之修改型之频带; 第49图为一图表,显示本发明之第六实施例之其他 修改型之VSWR特性; 第50图为一史密斯图表(Smith chart),显示本发明之第 六实施例之其他修改型; 第51图为一图表,显示本发明之第六实施例之其他 修改型之VSWR特性; 第52图为一史密斯图表(Smith chart),显示本发明之第 六实施例之其他修改型; 第53图为一图表,显示本发明之第六实施例之其他 修改型之VSWR特性; 第54图为一史密斯图表(Smith chart),显示本发明之第 六实施例之其他修改型; 第55图为一图表,显示本发明之第六实施例之其他 修改型之VSWR特性; 第56图为一史密斯图表(Smith chart),显示本发明之第 六实施例之其他修改型; 第57图为一图表,表列该实施例之其他修改型之VSWR 特性; 第58图为一图表,显示本发明之第六实施例之其他 修改型之VSWR特性; 第59图为一史密斯图表(Smith chart),显示本发明之第 六实施例之其他修改型; 第60图为一图表,显示本发明之第六实施例之其他 修改型之VSWR特性; 第61图为一史密斯图表(Smith chart),显示本发明之第 六实施例之其他修改型; 第62图为一图表,显示本发明之第六实施例之其他 修改型之VSWR特性; 第63图为一史密斯图表(Smith chart),显示本发明之第 六实施例之其他修改型; 第64图为一图表,表列该实施例之其他修改型之VSWR 特性; 第65图为一立体图,显示该根据本发明之第12实施 例在从一辐射部分1220的方向中的天线装置1200;且 第66图为一立体图,显示该根据本发明之第13实施 例在从一辐射部分1320的方向中的天线装置1300。
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