| 发明名称 | 带有改进的接触焊盘的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体器件及其制造方法。该器件包括：半导体有源区(1A)，该区包括一个或多个导电栅极(11)；以及远离有源区(1A)的接触区(1B)，典型地包括场氧化区(3)。绝缘层(17)覆盖在远程接触区(1B)和至少部分有源半导体区(1A)上，所述有源半导体区具有穿过导电栅极(11)之间的位置处形成的一个或多个接触窗口(19a)。在远程接触区(1B)中有金属接触焊盘(23)覆盖在绝缘层(17)上。金属接触焊盘(23)通过多个延伸穿过接触焊盘(23)核心部分的填充接触窗口(19b)形成的导电图案与在绝缘层(17)下的多晶硅接触带(15)相接触。在优选实施例中，所述图案是一系列填充平行沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN101273462A | 申请公布日期 | 2008.09.24 |
| 申请号 | CN200680035833.5 | 申请日期 | 2006.09.28 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 亚当·布朗 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L29/45(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L29/417(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：包括一个或多个导电栅极(11)的有源半导体区(1A)；远离有源区(1A)的接触区(1B)；覆盖在远程接触区(1B)和至少部分有源半导体区(1A)上的绝缘层(17；117)，所述绝缘层(17；117)具有穿过导电栅极(11；111)之间的位置处形成的一个或多个接触窗口(19a)；在远程接触区(1B)中覆盖在绝缘层(17；117)上的导电接触焊盘(23；123)；其中，所述接触焊盘(23；123)通过包括多个填充接触窗口(19b)的导电图案与绝缘层(17；117)下的接触带(15；115)相接触，所述图案在接触焊盘(23；123)核心部分上延伸。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||