| 发明名称 | 去耦合电容电路 | ||
| 摘要 | 一种去耦合电容电路包含有多个相互串联的深槽电容与多个推挽电路。该去耦合电容电路利用推挽电路来控制每一深槽电容的跨压，使其不受深槽电容的缺陷(泄漏电流)或者寄生元件的偏压影响。 | ||
| 申请公布号 | CN101252127A | 申请公布日期 | 2008.08.27 |
| 申请号 | CN200810082746.6 | 申请日期 | 2008.03.05 |
| 申请人 | 钰创科技股份有限公司 | 发明人 | 许人寿;王明弘 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01);H01L27/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙皓晨 |
| 主权项 | 1.一种去耦合电容电路，其特征在于，包含有：多个串联的深槽电容，每一该深槽电容包含至少一个深槽电容胞；其中，每两该深槽电容的连接处形成一节点，每一该节点是被偏压在一预设电压范围内。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||