发明名称 半导体装置
摘要 一种半导体装置,包括形成于半导体基板之第一表面的半导体元件、设置于第一通孔中的阻障膜、形成具有凹形的第一通孔于半导体基板之第一表面、连接半导体元件之一电极至阻障膜之第一通线、形成于第二通孔之中的第二通线,电性连接第一通线与设于其中之阻障膜,并成为形成于第二表面之配线的一部份、形成具有凹形的第二通孔于对立于半导体基板的第一表面之第二表面,以便达于阻障膜。阻障膜包括第8族元素其中至少一种。
申请公布号 TW200834865 申请公布日期 2008.08.16
申请号 TW096135893 申请日期 2007.09.27
申请人 NEC电子股份有限公司 发明人 浅井周二;日高匡睦;黑泽直人;及川洋一;丹羽隆树
分类号 H01L23/535(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/00(2006.01) 主分类号 H01L23/535(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本