| 发明名称 | 防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低的方法及磁头制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低的方法，包括下列步骤：将由一组含有隧道磁电阻元件的磁头体构成的磁条定位于托盘上；将所述托盘装入处理室，并将处理室抽空为预定压强；向所述处理室引入包含氧气的处理气体，并将该处理气体离子化，从而形成第一蚀刻手段；将磁头体暴露于所述第一蚀刻手段中，使隧道磁电阻元件表面形成氧化层；将所述处理室排空，再向所述处理室引入氩气，并将该氩气离子化，从而形成第二蚀刻手段；将磁头体暴露于所述第二蚀刻手段中，蚀刻所述氧化层而使其厚度降低。本发明同时公开了一种磁头制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101236746A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200710006206.5 | 申请日期 | 2007.01.30 |
| 申请人 | 新科实业有限公司 | 发明人 | 马洪涛;陈宝华;乔晓峰;方宏新;何巍巍 |
| 分类号 | G11B5/133(2006.01);G11B5/147(2006.01) | 主分类号 | G11B5/133(2006.01) |
| 代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人 | 郝传鑫 |
| 主权项 | 1. 一种防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低的方法，包括如下步骤：(a)将由一组含有隧道磁电阻元件的磁头体构成的磁条定位于托盘上；(b)将所述托盘装入处理室，并将处理室抽空为预定压强；(c)向所述处理室引入包含氧气的处理气体，并将该处理气体离子化，从而形成第一蚀刻手段；(d)将磁头体暴露于所述第一蚀刻手段中，使隧道磁电阻元件表面形成氧化层；(e)将所述处理室排空，再向所述处理室引入氩气，并将该氩气离子化，从而形成第二蚀刻手段；及(f)将磁头体暴露于所述第二蚀刻手段中，蚀刻所述氧化层而使其厚度降低。 | ||
| 地址 | 中国香港新界沙田香港科学园科技大道东六号新科中心 | ||