制备凹陷源漏场效应晶体管的方法

摘要

本发明提供了一种凹陷源漏场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路技术(ULSI)领域。该方法引入了外延工艺和采用牺牲层的办法，在衬底中引入两个“L”型的埋氧层结构。采用这种方法，器件工艺参数和物理参数诸如逆向掺杂浓度和深度、结深、凹陷源漏的深度、埋氧层的厚度等参数都能够很好的控制。该方法的可控性非常强，且与现有的工艺兼容，有利于应用到大规模生产中。

主权项

1.一种凹陷源漏场效应晶体管的制备方法，其步骤包括：(1)采用体硅硅片作为衬底，光刻并刻蚀得到单晶硅台，其高度为H1；(2)在衬底上依次外延生长一牺牲层和一单晶硅材料层，其厚度分别为H2和H3，且H2+H3＞H1；(3)采用化学机械抛光将结构的上表面平坦化，并刻蚀暴露出单晶硅台的上表面；(4)再外延生长一层单晶硅层，其厚度为Tsi，这层厚度将决定场效应晶体管中的结深；(5)保护好有源区单晶表面后，在场区开孔并刻蚀形成深槽，暴露出结构中的牺牲层，湿法选择腐蚀掉牺牲层，形成空洞；(6)在空洞和深槽中填满氧化硅材料，并采用化学机械抛光使之平坦化，形成一包围源漏区的氧化层；(7)接下来的工艺和常规的单栅工艺完全相同，依次定义栅区、源漏区注入、退火、硅化、淀积氧化层、刻蚀引线孔、合金、钝化、电极引出。