发明名称 | 电阻式随机存取记忆体及其制造方法 | ||
摘要 | 一种电阻式随机存取记忆体,包括:一第一电极;一第二电极;以及一电阻转换层,夹置于该第一电极与第二电极之间。其中该电阻转换层包括非化学计量比(non-stoichiometric)之一第一金属氧化物次层以及设置于该第一金属氧化物次层上之化学计量比(stoichiometric)之一第二金属氧化物次层。 | ||
申请公布号 | TW200824046 | 申请公布日期 | 2008.06.01 |
申请号 | TW095142795 | 申请日期 | 2006.11.20 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 李亨元;陈邦旭;王庆钧 |
分类号 | H01L21/8239(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8239(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 洪澄文;颜锦顺 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |