发明名称 | 高程式化速度多阶细胞记忆体 | ||
摘要 | 本发明提供用以程式化一快闪式多阶记忆细胞记忆体之方法与装置。该方法包含载入资料至一静态随机存取记忆体当中。该方法包含从静态随机存取记忆体中的资料读取许多多位元字元,以及载入该字元到至少一功率控制电路的一锁闸缓冲器。该方法亦包含将该锁闸缓冲器中一字元的一或多位元与该锁闸缓冲器中另一字元的一或多位元配对,以及决定哪一位元对需要被程式化。此外,该方法也包含以平行的方式程式化该被选定位元对的记忆体细胞。该方法可以更进一步包含程式化每一多阶记忆体细胞,藉由施加一电压至对应该被选定的位元对的记忆体细胞的一电晶体的汲极侧。 | ||
申请公布号 | TW200822122 | 申请公布日期 | 2008.05.16 |
申请号 | TW095141790 | 申请日期 | 2006.11.10 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈重光 |
分类号 | G11C16/06(2006.01) | 主分类号 | G11C16/06(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 李贵敏 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |