三维神经微电极的制作方法

摘要

一种微机电技术领域的三维神经微电极的制作方法，具体如下：以硅片作为衬底，在硅片的正面生长底层SiO₂；在底层SiO₂上形成金属合金层，并刻蚀出金属互连线、压焊点和接触圆点；底层SiO₂正面生长顶层SiO₂，并采用缓冲的HF酸溶液刻蚀顶层SiO₂，暴露出压焊点和接触圆点，并采用光刻胶填充压焊点；在接触圆点的硅平面结构正面旋涂SU－8胶，并通过光刻与刻蚀工艺，形成圆柱形孔，用光刻胶填充压焊点；在圆柱形孔中电镀生长金属，形成金属圆柱，采用显影方式去除压焊点中的光刻胶，暴露压焊点；进行清洗得到三维多通道微电极阵列。本发明降低制作成本，提高微电极的高度可控性及各通道一致性。

主权项

1.一种三维神经微电极的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，清洗硅片，以硅片作为衬底，采用等离子化学汽相淀积方法在硅片的一面生长底层SiO2；步骤二，在底层SiO2上依次溅射金属钛和金，形成金属合金层，并刻蚀出金属互连线、压焊点和接触圆点；步骤三，在金属合金层上采用等离子化学汽相淀积方法生长顶层SiO2，顶层SiO2绝缘金属合金层，并采用缓冲的HF酸溶液刻蚀顶层SiO2，暴露出压焊点和接触圆点，并采用光刻胶填充压焊点；步骤四，在接触圆点上旋涂SU-8胶，并通过光刻与刻蚀工艺，形成圆柱形孔，圆柱形孔侧壁为SU-8胶，并采用光刻胶填充压焊点；步骤五，在圆柱形孔中电镀生长金属，最终形成金属圆柱，采用显影方式去除压焊点中的光刻胶，暴露出压焊点；步骤六，对上述步骤得到的电极进行清洗，得到三维神经微电极。