| 发明名称 | 具有一平滑的磊晶层的半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种具有一平滑的磊晶层的半导体元件及其制造方法。该方法是藉由较高的反应气体压力形成第一层硅锗磊晶( SiGe )层在基材上，再以较低的反应气体压力形成第二层硅锗磊晶( SiGe )层。 | ||
| 申请公布号 | CN100378906C | 申请公布日期 | 2008.04.02 |
| 申请号 | CN200510058857.X | 申请日期 | 2005.03.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 蔡邦彦;张志坚;李资良;陈世昌 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体元件的方法，其特征在于其至少包括以下步骤：使用大于30torr的压力，形成一第一硅锗磊晶层在一硅基材上；以及使用少于30torr的压力，形成一第二硅锗磊晶层直接地在该第一硅锗磊晶层上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号 | ||