采用含水和低温清洗技术组合的半导体晶圆表面的后－CMP清洗

摘要

本发明提供了一种新的适用于清洗半导体表面以及金属、特别是疏水性低K介质膜和CMP侵蚀阻挡膜的表面，以去除后CMP污染物的含水和低温增强(ACE)清洗的改进方法。该方法特别适用于去除尺寸为0.3μm或小于0.3μm的污染物。ACE清洗方法适用于已经经历过化学机械抛光(CMP)的表面。该方法包括这样的步骤：采用含水基的清洗方法清洗表面，至少局部干燥表面，以及之后不久，采用 CO₂ 低温清洗方法清洗表面。该方法能够从疏水性的、由此单独采用含水基清洗技术难以清洁的表面上，去除所述的污染物。

主权项

1.一种从半导体晶圆、金属或膜的表面上去除化学机械抛光污染物的方法，它包括以下步骤：a)采用去离子水和/或含水或溶剂基的清洗剂来湿清洗表面；b)至少局部干燥所述表面；和，c)采用CO2低温清洗所述表面；该方法足以从表面上脱除至少一种与化学机械抛光有关的尺寸≤0.3μm的污染物。