| 发明名称 | 具有用于自旋转移翻转的高自旋极化层的MTJ元件以及使用该磁性元件的自旋电子器件 | ||
| 摘要 | 揭露了一种提供磁性元件的方法及系统。所述方法及系统包括设置第一及第二被钉扎层、自由层及分别位于所述第一及第二被钉扎层与所述自由层之间的第一及第二势垒层。所述第一势垒层为绝缘的结晶MgO且形成为容许隧穿通过所述第一势垒层。此外，所述第一势垒层具有与另一层交界的界面，所述另一层诸如所述自由层或所述第一被钉扎层。所述界面具有提供至少50％的高自旋极化的结构。所述第二势垒层为绝缘的且形成为容许隧穿通过所述第二势垒层。所述磁性元件形成为当写电流经过所述磁性元件时，容许该自由层可因自旋转移而被翻转。 | ||
| 申请公布号 | CN101133476A | 申请公布日期 | 2008.02.27 |
| 申请号 | CN200580048787.8 | 申请日期 | 2005.12.22 |
| 申请人 | 弘世科技公司 | 发明人 | 怀一鸣;马亨德拉·帕卡拉 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L29/82(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海恩田旭诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 尹洪波 |
| 主权项 | 1.一种磁性元件，包括：第一被钉扎层；第一势垒层，所述第一势垒层为绝缘的并且形成为容许隧穿通过所述第一势垒层，所述第一势垒层具有与另一层交界的界面，所述界面具有提供至少50％的高自旋极化的结构；自由层，所述第一势垒层位于所述第一被钉扎层与所述自由层之间；第二势垒层，所述自由层位于所述第一势垒层与所述第二势垒层之间，所述第二势垒层为绝缘的且形成为容许隧穿通过所述第二势垒层；第二被钉扎层，所述第二势垒层位于所述自由层与所述第二被钉扎层之间；其中，所述磁性元件形成为当写电流经过所述磁性元件时，容许所述自由层可因自旋转移而被翻转。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||