发明名称 主动矩阵型薄膜电晶体阵列基板以及其制造方法
摘要 〔课题〕提供一种可靠度、生产性优良的主动矩阵型薄膜电晶体阵列基板。〔解决手段〕关于本发明之主动矩阵型薄膜电晶体阵列基板,系包括:闸极电极2及闸极配线4,其系于透明绝缘基板上由第1金属膜构成;闸极绝缘膜5,其覆盖闸极电极2及闸极配线4;半导体层,其系形成于闸极绝缘膜5上;源极电极8b、汲极电极8a,其系形成于半导体层上;及像素电极8,其系以透明导电膜构成者,源极电极8b或汲极电极8a之中,只少一边由透明导电膜8构成,于其上包括Al、Cu、Ag之任何1个主成分之第2金属膜9。
申请公布号 TW200810129 申请公布日期 2008.02.16
申请号 TW096120105 申请日期 2007.06.05
申请人 三菱电机股份有限公司 发明人 原田和幸;石贺展昭;井上和式
分类号 H01L29/786(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文
主权项
地址 日本