四方型结构SnO<SUB>2</SUB>单分散纳米单晶及合成方法

摘要

一种四方型结构SnO₂单分散纳米单晶及合成方法。该SnO₂单分散纳米单晶为棒状结构纳米单晶，其直径为5-50纳米，长度为50-300纳米。其方法是将四氯化锡溶解于盐酸溶液，混合均匀后，放入高压釜中，充空气至压力为0.1-1.5兆帕作为预压，在200-400℃下保温4-8小时，直接得到四方型结构SnO₂单分散纳米单晶。本发明的特点是利用溶液的酸度和预压，提高前驱体水解温度，使其在高温下水解，由于此时系统处于高压力下，SnO₂分子结晶时沿被限定的晶面，择优生长，且直接长成密度最大的、几乎无缺陷的四方型结构SnO₂纳米单晶。该晶体用作锂离子电池负极材料，可有效提高电池的充电效率和使用寿命，用作发光器件和发射装置，可提高其发光效应和性能。

主权项

1.一种四方型结构SnO2单分散纳米单晶的制备方法，其特征是采用水热-液压法制备，其制备步骤为：第1、将质量浓度为36％-38％盐酸和蒸馏水按体积比为1∶30-100混合，配制成盐酸稀溶液；第2、将四氯化锡加到步骤1得到的盐酸稀溶液中，充分搅拌，混合均匀，配制成含四氯化锡浓度为0.09-0.1摩尔/升的稀盐酸溶液；第3、将步骤2中得到的四氯化锡的稀盐酸溶液放入高压反应釜中，充空气至压力为0.1-1.5兆帕作为预压，放入盐浴炉中，控制温度在200--400℃反应3-8小时，即得到四方型结构SnO2纳米单晶粗产品沉淀；第4、将步骤3得到的四方型结构SnO2纳米单晶粗产品沉淀，多次用蒸馏水洗涤和离心去水除氯离子，直至离心出的水无氯离子，然后在＜120℃烘干，即得到SnO2单分散纳米单晶为棒状结构纳米单晶，其直径为5-50纳米，长度为50-300纳米。