发明名称 |
诸如锗硅碳化物波导的波导及其制作方法 |
摘要 |
一波导及其制作方法,该方法至少包含在基板上形成第一渐进层,其中第一渐进层至少包含第一和第二光学材料与晶格常数调整材料,其中第二光学材料的浓度随第一渐进层的高度增加,而晶格常数调整材料的浓度与第二光学材料成比例变化;以及形成第二渐进层,该第二渐进层至少包含第一和第二光学材料与晶格常数调整材料,其中第二光学材料的浓度随第二渐进层的高度减少,而晶格常数调整材料的浓度与第二光学材料成比例变化。 |
申请公布号 |
CN100339731C |
申请公布日期 |
2007.09.26 |
申请号 |
CN02824729.9 |
申请日期 |
2002.12.11 |
申请人 |
美商·应用材料股份有限公司 |
发明人 |
阿尔凯帝·V·萨摩罗伏;迪恩·E·贝尔林 |
分类号 |
G02B6/10(2006.01);G02B6/13(2006.01);H01P11/00(2006.01) |
主分类号 |
G02B6/10(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
陈亮 |
主权项 |
1.一种形成波导结构的方法,其至少包含以下步骤:在基板上形成第一渐进层,第一渐进层至少包含硅、锗和碳,其中锗和碳的浓度随第一渐进层的高度而增加;以及在第一渐进层上形成第二渐进层,第二渐进层至少包含硅、锗和碳,其中锗和碳的浓度随第二渐进层的高度而减少。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |