发明名称 于含有矽或矽化物之接触区上之无电沉积制程
摘要 文中所述实施例系提供用在无电沉积制程中沉积一材料于一基材上之方法,与该无电沉积溶液的组成物。在一实施例中,该基材包含具一暴露矽接触表面之一接触开口。在另一实施例中,该基材包含具一暴露矽化物接触表面之一接触开口。该开口藉暴露该基材于一无电沉积制程的方式以一金属接触材料填充。该金属接触材料可包含一钴材料、一镍材料、与其合金。于填充该开口前,该基材可暴露于种种前处理制程,如:前洁净制程与活化制程。一前洁净制程于一湿洁净制程或一电浆蚀刻制程期间可移除有机残余物、原始氧化层、与其他污染物。该制程实施例也揭示沈积附加层,如:覆盖层。
申请公布号 TW200734482 申请公布日期 2007.09.16
申请号 TW095109485 申请日期 2006.03.20
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 史特瓦麦可P STEWART, MICHAEL P.;韦德曼堤摩西W WEIDMAN, TIMOTHY W.;桑缪盖沙壮阿库玛;朱志泽;干德可塔史林尼维斯;艾夫杰尼诺斯杰拉多斯巴V 杰瑞;JERRY);洛沙特约翰J ROSATO, JOHN J.;英格利珊大卫J EAGLESHAM, DAVID J.
分类号 C23C18/36(2006.01);G11B5/64(2006.01);G11B5/858(2006.01) 主分类号 C23C18/36(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财;李世章
主权项
地址 美国