| 摘要 |
一种用以在一记忆体阵列中执行一写入操作的记忆体阵列及方法，可去除在选择与未选择位元线间之寄生耦合及保护在未选择位元线上之记忆体单元。一记忆体阵列具有复数个记忆体单元，每一记忆体单元耦接至一唯一阵列位元线。一唯一复原电晶体耦接至每一阵列位元线。在奇数位元线上之复原电晶体耦接至第一及第二电压，然而在偶数位元线上之复原电晶体耦接至第一及第三电压。在一写入操作期间，每一耦接至一未选择位元线之复原电晶体在一写入操作及一复原操作期间系有效的，然而每一耦接至一选择位元线之复原电晶体在一复原期间系有效的。该第一电压足以在该写入操作期间防止该等选择位元线与该等未选择位元线间之寄生耦合。 |
