薄膜晶体管阵列板及其制造方法

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管阵列板及其制造方法。其中，在衬底上形成栅线。顺序沉积栅极绝缘层、半导体层、本征a－Si层、非本征a－Si层、Cr下部膜、以及含Al金属上部膜，对上部膜和下部膜构图，以形成数据线和漏极电极。形成光致抗蚀剂层，用光致抗蚀剂层作蚀刻掩模对上部膜构图，以露出漏极电极的下部膜的接触部分。除去非本征a－Si层和本征a－Si层的露出部分，然后除去光致抗蚀剂层和下面的非本征a－Si层部分。钝化层随同栅极绝缘层一起形成并被构图以形成露出下部膜的接触部分的接触孔，且像素电极形成来接触该接触部分。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列板，包括：在绝缘衬底上形成的栅极导电层；栅极导电层上的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的半导体层；至少部分形成在半导体层上、且包括相互隔开的数据线和漏极电极的数据导电层；覆盖半导体层的钝化层；以及接触漏极电极的像素电极，其中，半导体层的边界除了漏极电极和数据线端部附近的区域外从数据线露出。