| 发明名称 | CMOS图像传感器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种CMOS图像传感器，包括指状转移晶体管的栅电极，以根据低亮度和高亮度控制浮置扩散区的饱和状态。该CMOS图像传感器包括第一光电二极管区和第二光电二极管区，用于响应光而产生电子；以及转移晶体管，其位于该第一光电二极管区和该第二光电二极管区之间，用于接收从该第一光电二极管区和/或该第二光电二极管区转移过来的电子。 | ||
| 申请公布号 | CN1992316A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610170199.8 | 申请日期 | 2006.12.25 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 任劲赫 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种CMOS图像传感器，包括：第一光电二极管区和第二光电二极管区，用于响应光而产生电子；以及转移晶体管，其位于该第一光电二极管区和该第二光电二极管区之间，用于接收从该第一光电二极管区和/或该第二光电二极管区转移过来的电子。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||