| 发明名称 | 具有可变存取路径的多端口半导体存储器件及其方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了具有可变存取路径的半导体存储器件及其方法。半导体存储器件包括多个输入/输出端口；划分成多个存储区的存储器阵列；和可变地控制在存储区与输入/输出端口之间的存取路径，以便通过至少一个输入/输出端口存取每个存储区的选择控制单元。 | ||
| 申请公布号 | CN1988033A | 申请公布日期 | 2007.06.27 |
| 申请号 | CN200610166966.8 | 申请日期 | 2006.12.15 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金南钟;李镐哲;权敬桓;黄炯烈;安孝珠 |
| 分类号 | G11C7/10(2006.01);G11C29/08(2006.01) | 主分类号 | G11C7/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 吕晓章;李晓舒 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器件，包含：多个输入/输出端口；划分成多个存储区的存储器阵列；和选择控制单元，用于在存储区与输入/输出端口之间建立可变存取路径，以便通过至少一个输入/输出端口存取每个存储区。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||