| 发明名称 | 半导体发光装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体发光装置，包括：具有第一主面和在与上述第一主面相对的一侧的第二主面的透明层；在上述透明层的上述第一主面上至少一条线地设置的多个发光部，该多个发光部中的每一个具有活性层和锥形部，该锥形部将从上述活性层发出的光向上述透明层的方向反射，该多个发光部中的每一个在上述透明层的第二主面上具有中心部分和周边部分并且具有光强度分布，在上述透明层的上述第二主面上，与上述周边部分相对的区域的光强度等于或大于与上述中心部分相对的区域的光强度；以及在上述透明层的上述第二主面上、与上述中心部分相对地设置的多个接触部，该多个接触部中的每一个对于上述多个发光部的发射波长是不透明的。 | ||
| 申请公布号 | CN1983614A | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200610063960.8 | 申请日期 | 2006.10.08 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 加藤夕子;安田秀文;古川和由 |
| 分类号 | H01L27/15(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/15(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 李峥;杨晓光 |
| 主权项 | 1.一种半导体发光装置，包括：具有第一主面和在与上述第一主面相对的一侧的第二主面的透明层；在上述透明层的上述第一主面上至少一条线地设置的多个发光部，该多个发光部中的每一个具有活性层和锥形部，该锥形部将从上述活性层发出的光向上述透明层的方向反射，该多个发光部中的每一个在上述透明层的第二主面上具有中心部分和周边部分并且具有光强度分布，在上述透明层的上述第二主面上，与上述周边部分相对的区域的光强度等于或大于与上述中心部分相对的区域的光强度；以及在上述透明层的上述第二主面上、与上述中心部分相对地设置的多个接触部，该多个接触部中的每一个对于上述多个发光部的发射波长是不透明的。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||