| 发明名称 | 光刻抗反射硬掩模合成物及其使用 | ||
| 摘要 | 本发明给出用于半导体器件工艺的合成物和技术。在本发明一个方面，给出抗反射硬掩模合成物。合成物包含完全压缩多面体低聚硅倍半环氧乙烷{RSiO<SUB>1.5</SUB>}<SUB>n</SUB>，其中n等于8；以及至少一种发色半族和透明半族。在本发明另一方面，给出加工半导体器件的方法。方法包含下列步骤：在衬底上给出材料层；在材料层之上形成抗反射硬掩模层。抗反射硬掩模层包含完全压缩多面体低聚硅倍半环氧乙烷{RSiO<SUB>1.5</SUB>}<SUB>n</SUB>，其中n等于8；以及至少一种发色半族和透明半族。 | ||
| 申请公布号 | CN1321352C | 申请公布日期 | 2007.06.13 |
| 申请号 | CN200410058814.7 | 申请日期 | 2004.07.30 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 卡斯瑞纳·巴毕奇;阿潘·P·马赫洛瓦拉;戴维·R·美得洛斯;德克·费弗 |
| 分类号 | G03F7/004(2006.01);G03F7/20(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | G03F7/004(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种合成物的用途，用作抗反射硬掩模，该合成物包含：完全压缩多面体低聚硅倍半环氧乙烷{RSiO1.5}n，其中n等于8；以及其中R原子团包含发色半族和/或透明半族。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||