| 发明名称 | 智能卡主体及其制造方法、智能卡及其装配方法和载体带 | ||
| 摘要 | 本发明涉及智能卡主体、智能卡及其制造方法，具体而言，涉及用作用户身份模块(SIM)卡的智能卡。为了以能够实现简单的、适应性强的智能卡制造方法的方式改进智能卡主体的制造方法和智能卡的装配方法，描述了一种智能卡主体的制造方法，其中，所述方法包括在导电层中形成引线框架，其中，所述引线框架具有位于第一表面上的第一接触，并且可以将所述引线框架连接至位于与所述第一表面相对的第二表面上的半导体芯片，所述方法还包括在所述智能卡主体的第二表面上形成电绝缘外壳层，其中，所述外壳层具有用于结合所述半导体芯片的凹陷。 | ||
| 申请公布号 | CN1971866A | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN200610148611.6 | 申请日期 | 2006.11.14 |
| 申请人 | 蒂科电子法国公司;蒂科电子普雷特玛两合公司 | 发明人 | 塞巴斯蒂安·卡尔克;弗雷德里克·摩根塔勒 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01);H01L21/56(2006.01);H01L23/498(2006.01);H01L23/31(2006.01);G06K19/077(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.用于结合半导体芯片的智能卡主体(10)的制造方法，其中，所述方法包括下述步骤：在导电层(1)中形成引线框架，其中，所述引线框架具有位于第一表面上的第一接触(2)，并且可以将所述引线框架连接至位于与所述第一表面相对的第二表面上的所述半导体芯片，以及在所述智能卡主体的所述第二表面上形成电绝缘外壳层(11)，其中，所述外壳层(11)具有用于结合所述半导体芯片的凹陷(12)。 | ||
| 地址 | 法国蓬图瓦兹 | ||