发明名称 |
一种薄膜太阳能电池的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种薄膜太阳能电池及其制备方法。该薄膜太阳能电池依次由衬底、底电极、p型铜铟硒层、n型硫化镉层、p型多晶硅层、n型多晶硅层和上电极叠层构成。其制备方法依下列步骤进行:(1)采用磁控溅射加真空硒化退火方法在衬底上制备p型铜铟硒层;(2)用真空蒸发方法在p型铜铟硒层上生长n型硫化镉层形成铜铟硒与硫化镉复合结构;(3)在铜铟硒与硫化镉复合结构上采用等离体化学气相沉积工艺和金属诱导固相晶化方法制备p型多晶硅层、n型多晶硅层;(4)形成铜铟硒、硫化镉和多晶硅叠层复合结构的薄膜太阳能电池。本发明对太阳光谱的吸收利用率和光电转换效率高、成本低、制备方法简单、稳定性好。 |
申请公布号 |
CN1312780C |
申请公布日期 |
2007.04.25 |
申请号 |
CN200310117412.5 |
申请日期 |
2003.12.17 |
申请人 |
华南理工大学 |
发明人 |
姚若河;郑学仁 |
分类号 |
H01L31/06(2006.01);H01L31/18(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/06(2006.01) |
代理机构 |
广州粤高专利代理有限公司 |
代理人 |
禹小明 |
主权项 |
1.一种薄膜太阳能电池的制备方法,其特征是依下列步骤进行: (1)采用磁控溅射加真空硒化退火方法在衬底上制备p型铜铟硒层; (2)用真空蒸发方法在p型铜铟硒层上生长n型硫化镉层形成铜铟硒与硫 化镉复合结构; (3)在铜铟硒与硫化镉复合结构上采用等离体化学气相沉积工艺和金属 诱导固相晶化方法制备p型多晶硅层、n型多晶硅层; (4)形成铜铟硒、硫化镉和多晶硅叠层复合结构的薄膜太阳能电池。 |
地址 |
510640广东省广州市天河区五山路381号 |