半导体器件及其制造方法

摘要

一种能够制造同时在抑制台面形状异常的发生而不会对图形布图、使用的蚀刻剂类型等有限制的半导体器件及其制造方法，提供有半导体台面部分、基极接触垫台面部分和导电层，该半导体台面部分包括衬底上的集电极层、基极层和发射极层的叠层并用作为双极晶体管的有源区，该基极接触垫台面部分通过预定距离与此分离并具有与基极层的上表面相同的高度，该导电层整体形成有连接到基极层的基极电极、在除了基极接触垫台面部分的上表面的边缘附近的区域中的基极接触垫台面部分上形成的基极接触垫电极以及连接这些电极的互连。

主权项

1、一种半导体器件，包括：在衬底上形成的半导体台面部分，包括至少集电极层、基极层和在与所述基极层相比更窄的区域中形成的发射极层的叠层，并用作双极晶体管的有源区；形成在所述衬底上的基极接触垫台面部分，与所述半导体台面部分分隔开，并形成有与所述基极层的上表面的高度相同的高度；以及导电层，整体形成有与所述基极层连接的基极电极、基极接触垫电极以及用于连接所述基极电极和所述基极接触垫电极的互连，该基极电极形成在除了所述发射极层的形成区域之外的所述基极层的形成区域部分处，该基极接触垫电极形成在除了所述基极接触垫台面部分的上表面边缘附近之外的区域中的所述基极接触垫台面部分之上。