| 主权项 |
1.一种发光装置,包括: 一基板,其对光辐射至少部分透明且具有一第一表 面、一第二表面与一第一折射指数; 一位于该基板之该第一表面上的二极体区域,其经 组态以回应一施加于其上之电压而发光;及 一位于该基板之该第二表面上的抗反射层,其具有 一分级折射指数,该指数具有之値的范围大约在该 抗反射层之一第一表面处的该第一折射指数与对 应于该抗反射层之一第二表面处的封装材料之一 折射指数的一第二折射指数之间。 2.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该抗反射 层之该第一表面紧邻该基板之第二表面。 3.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该基板包 括SiC且该抗反射层包括(SiC)x(SiO2)1-x。 4.如申请专利范围第3项之发光装置,其中x于该抗 反射层之该第一表面约为1.0且于该抗反射层之该 第二表面约为0。 5.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该基板包 括A12O3且该抗反射层包括(Al2O3)x(SiO2)1-x。 6.如申请专利范围第5项之发光装置,其中x于该抗 反射层之该第一表面约为1.0且于该抗反射层之该 第二表面约为0。 7.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该抗反射 层包括聚合物。 8.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该基板包 括SiC,该第一折射指数约为2.6,且该第二折射指数 约为1.5。 9.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该基板包 括Al2O3,该第一折射指数约为1.8,且该第二折射指数 约为1.5。 10.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该分级 折射指数表示为一函数f(x),其中x表示该抗反射层 之厚度,其开始于该抗反射层之该第一表面并结束 于该抗反射层之该第二表面。 11.如申请专利范围第10项之发光装置,其中f(x)系线 性的。 12.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该封装 材料位于该抗反射层之该第二表面上。 13.一种制造一发光装置之方法,包括: 提供一基板,该基板对光辐射至少部分透明并具有 一第一表面、一第二表面与一第一折射指数; 于该基板之该第一表面上制造一二极体区域,该二 极体区域回应施加于其上之电压而发光;且 于该基板之该第二表面上制造一抗反射层,该抗反 射层具有一分级折射指数,该指数具有之値的范围 大约在该抗反射层之一第一表面处的该第一折射 指数与对应于该抗反射层之一第二表面处的封装 材料之一折射指数的一第二折射指数之间。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中制造该抗反 射层包括: 使用一沈积方法将该抗反射层沈积于该基板上,该 沈积方法选自由化学气相沈积(CVD)与电浆增强化 学气相沈积(PECVD)组成之方法群。 15.如申请专利范围第13项之方法,其中制造该抗反 射层包括: 使用一方法于该基板上制造该抗反射层,该方法选 自由热蒸镀、电子束蒸镀、溅镀、旋涂、溶胶-凝 胶旋涂与电镀组成之方法群。 16.如申请专利范围第13项之方法,其中该抗反射层 之该第一表面紧邻该基板之该第二表面。 17.如申请专利范围第13项之方法,其中该基板包括 SiC且该抗反射层包括(SiC)x(SiO2)1-x。 18.如申请专利范围第17项之方法,其中制造该抗反 射层包括: 藉由在一涂覆时间间隔内减少一x値来向该SiC基板 涂覆(SiC)x(SiO2)1-x。 19.如申请专利范围第18项之方法,其中x于一该涂覆 时间间隔之开始约为1.0且x于一该涂覆时间间隔之 结束约为0。 20.如申请专利范围第13项之方法,其中该基板包括 Al2O3且该抗反射层包括(Al2O3)x(SiO2)1-x。 21.如申请专利范围第20项之方法,其中制造该抗反 射层包括: 藉由在一涂覆时间间隔内减少一x値来向该Al2O3基 板涂覆(Al2O3)x(SiO2)1-x。 22.如申请专利范围第21项之方法,其中x于一该涂覆 时间间隔之开始约为1.0且x于一该涂覆时间间隔之 结束约为0。 23.如申请专利范围第13项之方法,其中该抗反射层 包括聚合物。 24.如申请专利范围第13项之方法,其中该基板包括 SiC,该第一折射指数约为2.6,且该第二折射指数约 为1.5。 25.如申请专利范围第13项之方法,其中该基板包括 Al2O3,该第一折射指数约为1.8,且该第二折射指数约 为1.5。 26.如申请专利范围第13项之方法,其中该分级折射 指数表示为一函数f(x),其中x表示该抗反射层之厚 度,其开始于该抗反射层之该第一表面并结束于该 抗反射层之该第二表面。 27.如申请专利范围第26项之方法,其中f(x)系线性的 。 28.如申请专利范围第13项之方法,进一步包括: 于该抗反射层之该第二表面上制造该封装材料。 29.一种发光装置,包括: 一基板,其对光辐射至少部分透明且具有一第一表 面、一第二表面与一第一折射指数; 一位于该基板之该第一表面上的二极体区域,其经 组态以回应一施加于其上之电压而发光;及 一位于该基板之该第二表面上的抗反射层,其具有 一分级折射指数,该指数具有之値的范围大约在该 抗反射层之一第一表面处的该第一折射指数和与 该抗反射层之一第二表面处的空气相关的一第二 折射指数之间。 30.如申请专利范围第29项之发光装置,其中该基板 包括SiC且该抗反射层包括(SiC)x(SiO2)1-x。 31.如申请专利范围第30项之发光装置,其中x于该抗 反射层之该第一表面约为1.0且于该抗反射层之该 第二表面约为0。 32.如申请专利范围第29项之发光装置,其中该基板 包括Al2O3且该抗反射层包括(Al2O3)x(SiO2)1-x。 33.如申请专利范围第32项之发光装置,其中x于该抗 反射层之该第一表面约为1.0且于该抗反射层之该 第二表面约为0。 34.如申请专利范围第29项之发光装置,其中该抗反 射层包括聚合物。 35.如申请专利范围第29项之发光装置,其中该基板 包括SiC,该第一折射指数约为2.6,且该第二折射指 数约为1.5。 36.如申请专利范围第29项之发光装置,其中该基板 包括Al2O3,该第一折射指数约为1.8,且该第二折射指 数约为1.5。 37.如申请专利范围第29项之发光装置,其中该分级 折射指数表示为一函数f(x),其中x表示该抗反射层 之厚度,其开始于该抗反射层之该第一表面并结束 于该抗反射层之该第二表面。 38.如申请专利范围第37项之发光装置,其中f(x)系线 性的。 39.一种制造一发光装置之方法,包括: 提供一基板,该基板对光辐射至少部分透明,并具 有一第一表面、一第二表面与一第一折射指数; 于该基板之该第一表面上制造一二极体区域,该二 极体区域回应于一施加于其上之电压而发光;且 于该基板之该第二表面上制造一抗反射层,该抗反 射层具有一分级折射指数,该指数具有之値的范围 大约在该抗反射层之一第一表面处的该第一折射 指数和与该抗反射层之一第二表面处的空气相关 的一第二折射指数之间。 40.如申请专利范围第39项之方法,其中制造该抗反 射层包括: 使用一沈积方法将该抗反射层沈积于该基板上,该 沈积方法选自由化学气相沈积(CVD)与电浆增强化 学气相沈积(PECVD)组成之方法群。 41.如申请专利范围第39项之方法,其中制造该抗反 射层包括: 使用一方法于该基板上制造该抗反射层,该方法选 自由热蒸镀、电子束蒸镀、溅镀、旋涂、溶胶-凝 胶旋涂与电镀组成之方法群。 42.如申请专利范围第39项之方法,其中该基板包括 SiC且该抗反射层包括(SiC)x(SiO2)1-x。 43.如申请专利范围第42项之方法,其中制造该抗反 射层包括: 藉由在一时间间隔内减少一x値来向该SiC基板涂覆 (SiC)x(SiO2)1-x。 44.如申请专利范围第43项之方法,其中x于一该时间 间隔之开始约为1.0且x于一该时间间隔之结束约为 0。 45.如申请专利范围第39项之方法,其中该基板包括 Al2O3且该抗反射层包括(Al2O3)x(SiO2)1-x。 46.如申请专利范围第45项之方法,其中制造该抗反 射层包括: 藉由在一时间间隔内减少一x値来向该Al2O3基板涂 覆(Al2O3)x(SiO2)1-x。 47.如申请专利范围第46项之方法,其中x于一该时间 间隔之开始约为1.0且x于该时间间隔之结束约为0 。 48.如申请专利范围第39项之方法,其中该抗反射层 包括聚合物。 49.如申请专利范围第39项之方法,其中该基板包括 SiC,该第一折射指数约为2.6,且该第二折射指数约 为1.5。 50.如申请专利范围第39项之方法,其中该基板包括 Al2O3,该第一折射指数约为1.8,且该第二折射指数约 为1.5。 51.如申请专利范围第39项之方法,其中该分级折射 指数表示为一函数f(x),其中x表示该抗反射层之厚 度,其开始于该抗反射层之该第一表面并结束于该 抗反射层之该第二表面。 52.如申请专利范围第51项之方法,其中f(x)系线性的 。 53.一种发光装置,包括: 一基板; 一位于该基板之该第一表面上的二极体区域,其经 组态以回应一施加于其上之电压而发光; 一位于该二极体区域上的光提取层,其具有一第一 折射指数;及 一位于该光提取层上之抗反射层,其具有一分级折 射指数,该指数具有之値的范围大约在该抗反射层 之一第一表面处的该第一折射指数和与邻近该抗 反射层之一第二表面的一第二媒体相关的一第二 折射指数之间。 54.如申请专利范围第53项之发光装置,其中该光提 取层包括铂,且该第一折射指数约为2.33。 55.如申请专利范围第53项之发光装置,其中该第二 媒体包括空气且该第二折射指数约为1.0。 56.如申请专利范围第53项之发光装置,其中该第二 媒体包括一封装材料且该第二折射指数约为1.5。 57.一种制造一发光装置之方法,包括: 提供一基板, 于该基板之第一表面上制造一二极体区域,该二极 体区域经组态以回应一施加于其上之电压而发光; 于该二极体区域上制造一具有一第一折射指数的 光提取层;且 于该光提取层上制造一抗反射层,该抗反射层具有 一分级折射指数,该指数具有之値的范围大约在该 抗反射层之一第一表面处的该第一析射指数和与 邻近该抗反射层之一第二表面的一第二媒体相关 的一第二折射指数之间。 58.如申请专利范围第57项之方法,其中该光提取层 包括铂,且该第一折射指数约为2.33。 59.如申请专利范围第57项之方法,其中该第二媒体 包括空气且该第二折射指数约为1.0。 60.如申请专利范围第57项之方法,其中该第二媒体 包括一封装材料且该第二折射指数约为1.5。 61.一种发光装置,包括: 第一与第二媒体,其分别具有与其相关之第一与第 二折射指数;及 一位于该第一与该第二层之间的具有一分级折射 指数之抗反射层,该指数具有基于一该第一与该第 二折射指数之间的差异的斜率(slope)。 62.一种制造一发光装置之方法,包括: 在一第一媒体与一第二媒体之间制造一具有一分 级折射指数的抗反射层,该分级折射指数具有一斜 率,该协率基于一与该第一媒体相关之一第一折射 指数和与该第二媒体相关之一第二折射指数之间 的差异。 图式简单说明: 图1系说明一习知的基于GaN之发光二极体(LED)的横 截面图; 图2系说明于具有不同折射指数之两种媒体之间光 行进的横截面图; 图3系根据本发明之一些实施例说明发光装置及其 制造方法的横截面图; 图4系根据本发明之一些实施例说明对各种基板材 料而言分级折射指数对抗反射层之厚度之曲线的 图; 图5与6系根据本发明之一些实施例说明制造发光 装置之例示性操作的流程图;及 图7系根据本发明之一些实施例说明发光装置及其 制造方法的横截面图。 |
