| 发明名称 |
GAS IMMERSION LASER ANNEALING METHOD SUITABLE FOR USE IN THE FABRICATION OF REDUCED-DIMENSION INTEGRATED CIRCUITS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1121713(B1) |
申请公布日期 |
2007.02.07 |
| 申请号 |
EP19980959621 |
申请日期 |
1998.11.25 |
| 申请人 |
ULTRATECH, INC. |
发明人 |
TALWAR, SOMIT;WEINER, KURT |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L29/78;H01L21/265;H01L21/268;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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