发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
提供一种具有高显示品质的液晶显示器件,它具有高的孔径比而又确保有足够的存储电容(Cs),同时还可通过将电容线的负荷(像素的写入电流)及时地分散开以便有效地减小该负荷。扫描线形成在与栅电极不同的层上,以便将电容线安置得与信号线平行。每个像素都通过介电质与各独立的电容线相连接。因而,由邻近像素的写入电流所引起的电容线的电位变化就可避免,由此可获得满意的显示图像。 |
申请公布号 |
CN1901167A |
申请公布日期 |
2007.01.24 |
申请号 |
CN200610100169.X |
申请日期 |
2000.09.26 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
柴田宽;矶部敦生 |
分类号 |
H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L23/522(2006.01);G02F1/1362(2006.01);G03B21/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/84(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
顾珊;张志醒 |
主权项 |
1.一种制造半导体器件的方法,包括下述步骤:在第一半导体区上形成第一绝缘膜,以便成为薄膜晶体管的沟道区,并且第二半导体区成为电容电极;在第一绝缘膜上形成第一导电膜;将所述第一导电膜构图为第一半导体区上的岛形栅电极,以及第二半导体区上的电容布线;形成覆盖栅电极和电容布线的第二绝缘膜;通过选择性地蚀刻第二绝缘膜,形成第一接触孔以到达栅电极;形成扫描线以便连接到第二绝缘膜上的栅电极;在扫描线上形成第三绝缘膜;形成信号线以便电连接到半导体膜,其中所述信号线平行于所述电容布线延伸,并且所述扫描线延伸跨过所述信号线和所述电容布线。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |