| 主权项 |
1.一种具有阶状闸极之半导体元件,其包括: 一半导体基板,包括在一由沟槽隔离膜所界定之主 动区域的两端上具有相对低台阶之第一区域、在 该主动区域之中央部分上具有相对高台阶之第二 区域、及在该第二区域之中央部分上所形成的具 有一预定深度之凹槽; 阶状闸极堆叠结构,形成于该等第一区域与该第二 区域间之边界上,同时暴露该第二区域之凹槽; 第一杂质区域,形成于该等阶状闸极堆叠结构所暴 露之第一区域中;以及 第二杂质区域,形成于该等阶状闸极堆叠结构所暴 露之第二区域中,同时包围该第二区域之凹槽。 2.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中在该半 导体基板之第二区域的中央部分上所形成之凹槽 具有比该第二杂质区域浅之深度。 3.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该半导 体基板之第二区域系一经由选择性磊晶成长所形 成之薄膜。 4.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中又包括 : 多数底部电极膜,电性耦接至该等第一杂质区域; 及电容器,包含有一介电质膜和一顶部电极膜连续 地形成在底部电极膜上;以及 一位元线堆叠结构,耦接至该第二杂质区域。 5.一种制造具有阶状闸极之半导体元件的方法,该 方法包括: 使用覆盖半导体基板之一主动区域的硬式罩幕膜 图案,以在该半导体基板上形成沟槽隔离膜; 移除该等硬式罩幕膜图案之一部分以暴露该主动 区域之第一表面及第二表面,同时允许藉由在该主 动区域之中央部分上所形成之硬式罩幕膜图案以 隔开该第一及第二表面; 形成选择性磊晶成长层于该主动区域之第一及第 二表面上; 移除该等硬式罩幕膜图案; 形成阶状闸极堆叠结构于该主动区域之半导体基 板与该等选择性磊晶层间之边界上;以及 使用该等阶状闸极堆叠结构做为一离子植入罩幕 以形成第一杂质区域及一第二杂质区域于该半导 体基板中。 6.如申请专利范围第5项之方法,其使用二氯矽甲烷 、盐酸及氢气做为气体源来成长该选择性磊晶层 。 7.如申请专利范围第5项之方法,其中又包括: 在暴露该主动区域之第一表面及第二表面后清洗 该主动区域之已暴露第一及第二表面。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中使用第一及第 二清洗溶液中之至少一清洗溶液来实施该清洗制 程,该第一清洗溶液包括硫酸及过氧化氢,该第二 清洗溶液实质上系由氢氟酸及氟化铵所构成。 9.如申请专利范围第8项之方法,其中该第一清洗溶 液是4:1的硫酸与过氧化氢之混合。 10.如申请专利范围第8项之方法,其中该第二清洗 溶液系300:1的氢氟酸与氟化铵之混合。 11.如申请专利范围第5项之方法,其中又包括: 形成多数底部电极膜,以电性耦接于第一杂质区域 ,以及多数数电容器,包含有一介电质膜和一顶部 电极膜连续地形成在底部电极膜上,以及形成一位 元线堆叠结构耦接于第二杂质区域。 图式简单说明: 第1图系描述依据习知技术之一具有阶状闸极的半 导体元件及一制造该半导体元件之方法的图式; 第2图系描述依据本发明之一实施例的一具有阶状 闸极之半导体元件及一制造该半导体元件之方法 的布局图;以及 第3至第8图系描述依据本发明之一实施例的一具 有阶状闸极之半导体元件及一制造该半导体元件 之方法。 |
