| 发明名称 | 制造电子元件的方法以及电子元件 | ||
| 摘要 | 在用于制造电子元件的方法中通过引入掺杂原子来对衬底进行掺杂。在掺杂衬底中借助利用掺杂原子的掺杂来构造电子元件的至少一个连接区。此外，至少在至少一个连接区的下面借助利用掺杂原子的掺杂来构造至少一个附加的掺杂区。此外，在所述衬底中借助利用掺杂原子的掺杂形成至少一个阱区，这样使得至少在至少一个附加的掺杂区的下面阻止阱区掺杂。 | ||
| 申请公布号 | CN1885554A | 申请公布日期 | 2006.12.27 |
| 申请号 | CN200610094055.9 | 申请日期 | 2006.06.22 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份公司 | 发明人 | H·费克;P·里斯;M·温德尔 |
| 分类号 | H01L29/36(2006.01);H01L23/60(2006.01);H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | H01L29/36(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢江;魏军 |
| 主权项 | 1.用于制造电子元件的方法，具有：●借助引入掺杂原子来对衬底进行掺杂；●在所述衬底中借助利用掺杂原子的掺杂来构造电子元件的至少一个连接区；●至少在所述至少一个连接区的下面借助利用掺杂原子的掺杂来构造至少一个附加的掺杂区，其中所述至少一个附加的掺杂区被构造为ESD区，所述ESD区用于防止静电产生的放电；●在所述衬底中借助利用掺杂原子的掺杂来构造至少一个阱区，其中至少在所述至少一个附加的掺杂区的下面阻止阱区掺杂，这样使得每个被阻止阱区掺杂的区域中的掺杂浓度在所述方法结束时对应于所述衬底的掺杂浓度。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||