| 主权项 |
1.一种从具有原长且包含羟基化线性高聚物之聚 合体薄片制造偏光物件之方法,此方法包括: 拉伸该聚合体薄片至经拉伸长度为大于原长之5.0 倍至约7.0倍; 引进适当脱水触媒至该聚合体薄片中;及 将聚合体薄片与触媒加热,以达成聚合体薄片之部 份脱水作用,其中系形成光吸收性次乙烯基嵌段之 链段。 2.根据申请专利范围第1项之方法,其中羟基化线性 高聚物为聚乙烯醇、聚乙烯基缩醛、聚乙烯基缩 酮或聚乙烯酯。 3.根据申请专利范围第1项之方法,其中引进步骤系 包括使聚合体薄片曝露至发烟酸性蒸气。 4.根据申请专利范围第1项之方法,其中引进步骤系 包括以酸涂层涂覆聚合体薄片。 5.根据申请专利范围第1项之方法,其中引进步骤系 包括 将酸供体层放置于邻近聚合体薄片;与 使酸供体层曝露至辐射能,以释出一或多个酸分子 。 6.根据申请专利范围第5项之方法,其中辐射能为热 能或紫外光能。 7.根据申请专利范围第1项之方法,其中拉伸为二方 向性松弛、二方向性未松弛、单向松弛、单向未 松弛或抛物线。 8.根据申请专利范围第1项之方法,其进一步包括 使聚合体薄片在高温下接受硼化反应处理。 9.根据申请专利范围第8项之方法,其进一步包括 单向延伸该经拉伸并经加热之聚合体薄片,从已拉 伸长度之0%至约70%。 10.根据申请专利范围第9项之方法,其中接受步骤 与延伸步骤系同时进行。 11.根据申请专利范围第9项之方法,其中接受步骤 系在延伸步骤之前进行。 12.根据申请专利范围第8项之方法,其中硼化反应 处理温度为至少约80℃。 13.根据申请专利范围第8项之方法,其中硼化反应 处理温度范围为约80℃至约110℃。 14.根据申请专利范围第8项之方法,其中硼化反应 处理系包括放置聚合体薄片,与包含硼酸之水溶液 接触。 15.根据申请专利范围第14项之方法,其中硼酸浓度 范围为约5重量%至约20重量%。 16.根据申请专利范围第14项之方法,其中水溶液进 一步包含硼砂。 17.根据申请专利范围第16项之方法,其中硼砂浓度 范围为0重量%至约7重量%。 18.根据申请专利范围第1项之方法,其进一步包括 将至少一种二向色性染料添加至聚合体薄片中。 19.根据申请专利范围第18项之方法,其进一步包括 使聚合体薄片接受硼化反应处理,其中添加步骤与 接受步骤系同时进行。 20.根据申请专利范围第18项之方法,其进一步包括 使聚合体薄片接受硼化反应处理,其中添加步骤系 在接受步骤之前进行。 21.根据申请专利范围第18项之方法,其中该至少一 种二向色性染料为黄色染料、蓝色染料或其组合 。 22.根据申请专利范围第1项之方法,其中聚合体薄 片具有聚合度为从约2000至约4000之范围。 23.一种从具有原长且包含羟基化线性高聚物之聚 合体薄片制造偏光物件之方法,此方法包括: 拉伸该聚合体薄片至经拉伸长度为原长之约3.5倍 至约7.0倍; 引进适当脱水触媒至聚合体薄片中; 将聚合体薄片与触媒加热,以达成聚合体薄片之部 份脱水作用,其中系形成光吸收性次乙烯基嵌段之 链段; 使聚合体薄片在至少约80℃之温度下,接受硼化反 应处理;及 单向延伸聚合体薄片,从已拉伸长度之0%至约70%。 24.根据申请专利范围第23项之方法,其中羟基化线 性高聚物为聚乙烯醇、聚乙烯基缩醛、聚乙烯基 缩酮或聚乙烯酯。 25.根据申请专利范围第23项之方法,其中引进步骤 包括使聚合体薄片曝露至发烟酸性蒸气。 26.根据申请专利范围第23项之方法,其中引进步骤 包括以酸涂层涂覆聚合体薄片。 27.根据申请专利范围第23项之方法,其中引进步骤 包括 将酸供体层放置于邻近聚合体薄片;及 使酸供体层曝露至辐射能,以释出一或多个酸分子 。 28.根据申请专利范围第27项之方法,其中辐射能为 热能或紫外光能。 29.根据申请专利范围第23项之方法,其中拉伸为二 方向性松弛、二方向性未松弛、单向松弛、单向 未松弛或抛物线。 30.根据申请专利范围第23项之方法,其中接受步骤 与延伸步骤系同时进行。 31.根据申请专利范围第23项之方法,其系进一步包 括将至少一种二向色性染料添加至聚合体薄片中 。 32.根据申请专利范围第31项之方法,其中添加步骤 与接受步骤系同时进行。 33.根据申请专利范围第31项之方法,其中添加步骤 系在接受步骤之前进行。 34.根据申请专利范围第31项之方法,其中该至少一 种二向色性染料为黄色染料、蓝色染料或其组合 。 35.根据申请专利范围第23项之方法,其中硼化反应 处理系包括放置聚合体薄片,与包含硼酸之水溶液 接触。 36.根据申请专利范围第35项之方法,其中硼酸浓度 范围为约5重量%至约20重量%。 37.根据申请专利范围第35项之方法,其中水溶液进 一步包含硼砂。 38.根据申请专利范围第37项之方法,其中硼砂浓度 范围为0重量%至约7重量%。 39.根据申请专利范围第23项之方法,其中硼化反应 处理温度范围为约80℃至约110℃。 40.根据申请专利范围第23项之方法,其中聚合体薄 片具有聚合度,从约2000至约4000之范围。 图式简单说明: 图1为一图表,显示先前技艺偏极化薄片与根据本 发明具体实施例制成之偏极化薄片之吸光率对波 长; 图2为一图表,显示两种先前技艺偏极化薄片与根 据本发明具体实施例制成之偏极化薄片之吸光率 对共轭长度; 图3为一图表,显示先前技艺正交偏光物件与根据 本发明具体实施例制成之正交偏光物件之透光率 对波长; 图4为一图表,显示先前技艺正交偏光物件与根据 本发明具体实施例制成之正交偏光物件之吸光率 对波长; 图5为一图表,显示根据本发明之具体实施例,使用 与未使用二向色性黄色染料制成之偏极化薄片之 吸光率对波长; 图6为一图表,显示根据本发明之具体实施例,使用 与未使用二向色性黄色染料制成之偏极化薄片之 光谱二向色比对波长; 图7为一图表,显示根据本发明之具体实施例,使用 与未使用二向色性黄色染料制成之正交偏光物件 之透光率对波长; 图8为一图表,显示根据本发明之具体实施例,使用 与未使用蓝色二向色性染料制成之偏极化薄片之 吸光率对波长; 图9为一图表,显示拉伸温度对于具有最初拉伸为 原长五倍之代表性试样之作用; 图10为一图表,显示硼化反应温度对于具有最初拉 伸为原长五倍之代表性试样之作用; 图11与图12为图表,显示根据本发明具体实施例制 成之偏极化薄片之适光二向色比对硼化反应溶液 中之滞留时间; 图13为一图表,显示根据本发明具体实施例制成之 偏极化薄片之最大适光二向色比对硼化反应温度; 图14为一图表,显示根据本发明具体实施例制成之 偏极化薄片,在不同处理参数下之偏极化效率对透 光率; 图15为一图表,显示根据本发明具体实施例制成之 偏极化薄片,在两种不同聚合度下之偏极化效率对 透光率;及 图16为一图表,显示根据本发明具体实施例制成之 偏极化薄片之二向色比对硼酸浓度。 |
