| 发明名称 | 一种在化学机械研磨中减少导体结构碟陷与侵蚀的方法 | ||
| 摘要 | 在铜的化学机械研磨过程中的后期，由于不同区域铜的研磨速率不同，产生的铜导体结构中的碟陷与侵蚀。本发明提出在化学机械研磨中减少导体结构碟陷与侵蚀的方法，通过施加反向直流偏压，平衡不同区域铜的研磨速率，克服了铜的碟陷与侵蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN1870244A | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN200510026257.5 | 申请日期 | 2005.05.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王欣;白启宏;刘俊良 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/321(2006.01);B24B37/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人 | 楼仙英 |
| 主权项 | 1.一种在化学机械研磨中减少导体结构碟陷与侵蚀的方法，包括衬底上形成第一电介质层(ILD)；在电介质层上形成一阻挡层(stop layer)；在阻挡层上形成第二电介质层(IMD)；形成接触窗和接触窗通孔插塞金属；刻蚀形成第一层(M1)金属线接触窗；形成一铜层，并填入接触窗中以形成导电结构；化学机械研磨移除部分导电层以平坦化；研磨过程中施加反向直流偏压，平衡不同区域铜的研磨速率。在研磨速率较快的导电结构上加上反向直流偏压，使其停止研磨，而研磨较慢的导电结构上未加反向直流偏压，继续研磨直至表面平坦化。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||