发明名称 GaN-based Semiconductor Light Emitting Diode containing Nickel forming part of n-type ohmic metal
摘要
申请公布号 KR100650992(B1) 申请公布日期 2006.11.29
申请号 KR20050023085 申请日期 2005.03.21
申请人 发明人
分类号 H01L33/00;H01L33/40 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项
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