| 发明名称 | 一种纳米棒阵列材料 | ||
| 摘要 | 一种纳米棒阵列材料，其特征在于：所述材料组成成份为AlN，所述材料宏观上形成一种纳米棒阵列。本发明的优点是：此场发射材料具有低的开启电压、特别是具有高的发射电流稳定性等一系列优异的场发射性能。此材料制备方法简易、成本低，在平板显示器和阴极场发射器件等领域具有良好的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN1857995A | 申请公布日期 | 2006.11.08 |
| 申请号 | CN200510046365.9 | 申请日期 | 2005.04.30 |
| 申请人 | 中国科学院金属研究所 | 发明人 | 丛洪涛;唐永炳;成会明 |
| 分类号 | C01B21/072(2006.01) | 主分类号 | C01B21/072(2006.01) |
| 代理机构 | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 | 代理人 | 张晨 |
| 主权项 | 1、一种纳米棒阵列材料，其特征在于：所述材料组成成份为AlN，所述材料宏观上形成一种纳米棒阵列。 | ||
| 地址 | 110015辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 | ||