| 发明名称 | 光掩膜、掩膜图形的生成方法及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种光掩膜，包括：夹持以线状延伸的遮光线部(5)从而实质上按照相同线宽并行的一对透光用开口图形(4)；和按照从宽度方向的两侧夹持该一对透光用开口图形(4)的方式进行配置的半透过区域。该半透过区域构成为具有使透过的光与透过透光用开口图形(4)的光相位相同这一性质的同相半透过部(2)。此外，半透过区域由微细到经过光照射而不析像这种程度的间距进行配置的图形构成。 | ||
| 申请公布号 | CN1854892A | 申请公布日期 | 2006.11.01 |
| 申请号 | CN200610073914.6 | 申请日期 | 2006.02.14 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 中尾修治 |
| 分类号 | G03F1/14(2006.01);G03F1/08(2006.01);G03F1/00(2006.01);G03F7/20(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F1/14(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 浦柏明;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种光掩膜，包括：夹持以线状延伸的中央遮光线部从而实质上按照相同线宽并行的一对透光用开口图形；以及按照从宽度方向的两侧夹持所述一对透光用开口图形来进行配置的半透过区域，所述半透过区域具有如下性质，即透过所述半透过区域的光与透过所述透光用开口图形的光相同相位相同，所述半透过区域由按照微细到经过所述光照射却不析像这种程度的间距来进行配置的图形构成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||