双极性装置

摘要

本发明提供一种双极性装置，包括一射极形成在半导体基底中；一集极在半导体基底中与射极侧向的分隔；栅极终端形成在半导体基底上，用以定义射极与集极间的距离；以及外质基极形成在半导体基底上，与射极或集极具有预设距离，其中外质基极、射极、集极以及栅极终端均设置在主动区中，通过在半导体基底中的围绕的绝缘层结构来定义主动区。本发明所述双极性装置，具有改善过的效能、相容于互补金属氧化半导体技术、简洁的布局、步骤的简化、以及额外增加一终端，用以调整本身。

主权项

1.一种双极性装置，其特征在于，通过一互补金属氧化半导体程序所制成，该双极性装置，包括：一射极，形成在一半导体基底中；一集极，形成在该半导体基底中，并与该射极侧向的分隔；一栅极终端，形成在该半导体基底之上，用以定义该射极与该集极间的一距离；以及一外质基极，形成在该半导体基底中，与该射极或该集极具有一预设距离，其中该外质基极、射极、集极以及栅极终端均设置在一主动区中，通过一在该半导体基底中的围绕的绝缘层结构定义该主动区。