| 摘要 |
本发明系以1次之雷射光照射引起横向结晶成长，形成均匀结晶构造之半导体薄膜。以雷射照射加热熔融位于比光吸收层103之图案更外侧的半导体薄膜105之外部区域107，并且不熔融位于比该图案更内侧之半导体薄膜之内部区域109而加热光吸收层103。其次，已熔融之半导体薄膜105冷却且于外部区域107与内部区域109之边界附近生成微小结晶粒S。再者，自边界朝向外侧以微小结晶粒S为核心进行第1横向成长，并于外部区域107之部分生成多结晶粒L1。最后，热自加热后之光吸收层103传递至半导体薄膜105且熔融内部区域109之后，自边界朝向内侧以多结晶粒L1为核心进行第2横向成长，且于内部区域109生成进一步扩大之多结晶粒L2。 |
