发明名称 CMOS图像传感器
摘要 一种CMOS图像传感器,其减小在宽频带中的kTC噪声。对应于一个像素的像素电路包括:光电转换元件,用于执行入射光的光电转换;复位晶体管,用于把光电转换元件的阴极复位为初始电压;放大晶体管,用于把在光电转换元件中累积的电荷转换为电压;以及行选择晶体管,选择从行方向上设置的像素区域输出的信号。一个电压控制电路,用于通过控制复位晶体管的栅极的电势,在光电转换元件被复位的时间段中,控制用于由复位晶体管的导通状态电阻和在光电转换元件的阴极所产生的寄生电容所形成的低通滤波器的截止频率。由此,可以控制对于由复位晶体管的导通电阻和在光电转换元件上的阴极产生的寄生电容所形成的低通滤波器的截止频率。
申请公布号 CN1257642C 申请公布日期 2006.05.24
申请号 CN03101065.2 申请日期 2003.01.09
申请人 富士通株式会社 发明人 国分政利;土屋主税
分类号 H04N5/00(2006.01);H04N5/335(2006.01) 主分类号 H04N5/00(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 李玲
主权项 1.一种CMOS图像传感器,用于通过根据X-Y寻址按次序输出在排列为矩阵的每个像素区域中检测的图像信号而获得图像,该传感器包括:像素电路,每个像素电路包括:光电转换元件,用于执行入射光的光电转换;复位晶体管,用于把光电转换元件的阴极复位为初始电压;放大晶体管,用于把在光电转换元件中累积的电荷转换为电压;以及行选择晶体管,用于根据选择从行方向上设置的像素区域输出的信号的行选择信号而输出来自放大晶体管的电压输出,作为对应于一个像素的图像信号;以及电压控制电路,包括:反相器电路,其中包括用于驱动复位晶体管的栅极的p沟道MOS晶体管和n沟道MOS晶体管;以及光晕控制晶体管,其位于p沟道MOS晶体管的漏极与n沟道MOS晶体管的漏极之间,并且是一个MOS晶体管,其栅极和漏极连接到复位晶体管的栅极,所述电压控制电路用于通过控制复位晶体管的栅极的电势,在光电转换元件被复位的时间段中,控制用于由复位晶体管的导通状态电阻和在光电转换元件的阴极所产生的寄生电容所形成的低通滤波器的截止频率。
地址 日本神奈川