发明名称 | 半导体装置 | ||
摘要 | 一种半导体装置,现有的单片双型MOSFET由于构成使漏极区域共通的两个MOSFET的芯片并列的结构,故漏极区域的电阻值高,装置的导通电阻的降低有限。本发明的半导体装置,将第一源极电极连接的第一MOS晶体管和第二源极电极连接的第二MOS晶体管在一个芯片上相邻交替地配置。在第一源极电极及第二源极电极上分别施加不同的电位,两MOS晶体管通过一个栅极端子进行开关控制。由于电流沿槽周围流动,故可降低导通电阻。 | ||
申请公布号 | CN1776911A | 申请公布日期 | 2006.05.24 |
申请号 | CN200510125451.9 | 申请日期 | 2005.11.17 |
申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 柳田正道;万代忠男 |
分类号 | H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨梧 |
主权项 | 1、一种半导体装置,其特征在于,具有:构成漏极区域的半导体衬底;设于所述漏极区域,且由施加于一个栅极端子上的控制信号控制的多个MOS晶体管,相邻的两个所述MOS晶体管分别与施加不同的电位的两个源极端子连接。 | ||
地址 | 日本大阪府 |