在半导体器件的夹断的有源区中改善二硅化钛的电阻

摘要

一种在衬底(1)上制造半导体器件(2)的方法，所说半导体器件(2)包括由间隔层(10-13，20-23)界定的硅衬底(1)中的有源区(5，6，16)，有源区(5，6，16)被设置成接触包括TiSi₂的互连区(29)；该方法包括，在衬底(1)上淀积氧化层(26)；在氧化层(26)上淀积抗蚀剂层(27)并将其图形化；用已图形化的抗蚀剂层(27)，进行氧化物(26)的反应离子蚀刻以界定有源区(5，6，16)；通过至少含有氧的干法条纹等离子体去除抗蚀剂(27)；在氧化层(26)和有源区(5，6，16)上淀积钛(28)；通过第一退火、选择湿法蚀刻和第二退火步骤形成互连区(29)作为自对准的TiSi₂；干法条纹等离子体至少包括作为第二气体组分的氟。

主权项

1.在衬底(1)上制造半导体器件(2)的方法，半导体器件(2)包括由间隔层(10-13，20-23)界定的硅衬底(1)中的至少一个有源区(5，6，16)；至少一个有源区(5，6，16)进一步被设置成与包括二硅化钛的互连区(29)接触的接触区；该方法包括步骤：·在衬底(1)上淀积氧化层(26)；·在氧化层(26)上淀积抗蚀剂层(27)；·将抗蚀剂层(27)图形化；·利用反应离子蚀刻工艺，采用已图形化的抗蚀剂层(27)作为掩膜，在氧化层(26)中蚀刻一个开口以便界定至少一个有源区(5，6，16)，所述至少一个有源区(5，6，16)的宽度为0.35μm或更小；·在干法条纹工艺中利用至少包含作为气体组分的氧的微波等离子去除抗蚀剂层(27)；·在氧化层(26)的顶部和至少一个有源区(5，6，16)上淀积包含钛的金属层(28)；·通过包括形成二硅化钛的第一结晶变形的第一退火步骤、未反应钛的选择湿法蚀刻步骤和形成二硅化钛的第二结晶变形的第二退火步骤的自对准工艺形成包含二硅化钛的互连区(29)，所述第二结晶变形具有比所述第一结晶变形更低的电阻率；其特征在于干法条纹工艺的微波等离子包括至少包含氟的另一气体组分，用于清洁并蚀刻至少一个有源区(5，6，16)的表面并各向同性蚀刻间隔层(10-13，20-23)。